一种应用于高熔点材料的激光熔体静电直写装置及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011509514.1
IPC分类号：B29C64/124;B29C64/20;B29C64/245;D01D5/00;B33Y10/00;B33Y30/00;B29K67/00
申请日期：
2020-12-19
申请人：
湖北工业大学;北京化工大学

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著录项信息

专利名称	一种应用于高熔点材料的激光熔体静电直写装置及方法
申请号	CN202011509514.1	申请日期	2020-12-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-14	公开/公告号	CN112793154A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B29C64/124 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B29 塑料的加工；一般处于塑性状态物质的加工 B29C 塑料的成型或连接；塑性状态材料的成型，不包含在其他类目中的；已成型产品的后处理，例如修整（制作预型件入B29B 11/00；通过将原本不相连接的层结合成为各层连在一起的产品来制造层状产品入B32B 7/00至B32B 41/00）〔4〕 B29C64/00 增材加工，即，三维（3D）物体通过增材沉积，聚结或层压，例如通过3D打印，通过光固化或选择性激光烧结〔2017.01〕 B29C64/10 增材加工的工艺〔2017.01〕 B29C64/106 仅使用液体或粘性材料，例如沉积一道连续的粘性材料焊缝〔2017.01〕 B29C64/124 使用选择性固化的层或液体〔2017.01〕	IPC分类号	B;2;9;C;6;4;/;1;2;4;;;B;2;9;C;6;4;/;2;0;;;B;2;9;C;6;4;/;2;4;5;;;D;0;1;D;5;/;0;0;;;B;3;3;Y;1;0;/;0;0;;;B;3;3;Y;3;0;/;0;0;;;B;2;9;K;6;7;/;0;0查看分类表>
申请人	湖北工业大学;北京化工大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区南李路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湖北工业大学,北京化工大学	当前权利人	湖北工业大学,北京化工大学
发明人	李秀红;李好义;杨卫民;张道德;胡新宇;魏琼;张楚鹏;叶旭辉;彭毓杰
代理机构	武汉科皓知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	黄靖

摘要

本发明公开了一种应用于高熔点材料的激光熔体静电直写装置及方法，包括三维接收平台、材料输送系统、激光分束加热系统、高压静电发生系统和温度控制系统；其中，三维接收平台根据制品要求调控三个方向的运动从而形成三维制品；材料输送系统包括静电纺丝材料和喂料单元，喂料单元将静电纺丝材料向下输送；激光分束加热系统包括激光发射器、分束反射装置和激光接收器，激光发射器发射的激光经过分束反射装置分为两束，一束用于熔融静电纺丝材料下端，一束防止纺丝射流达到接收板前固化；高压静电发生系统用于形成高压静电场；温度控制系统用于调节纺丝纤维的固化过程。本发明可应用于高熔点有机、无机材料高精密制品的加工制造。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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