钛酸铋钠-钛酸钡铁电单晶的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710046740.9
IPC分类号：C30B29/32;C30B15/00
申请日期：
2007-09-30
申请人：
中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利名称	钛酸铋钠-钛酸钡铁电单晶的制备方法
申请号	CN200710046740.9	申请日期	2007-09-30
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2008-07-16	公开/公告号	CN101220511
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/32 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/16 氧化物〔3〕 C30B29/22 复合氧化物〔3〕 C30B29/32 钛酸盐；锗酸盐；钼酸盐；钨酸盐〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;2;;;C;3;0;B;1;5;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院上海硅酸盐研究所	申请人地址	上海市定西路1295号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所,国家电网公司,上海市电力公司	当前权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所,国家电网公司,上海市电力公司
发明人	葛文伟;罗豪甦;刘洪;赵祥永;林迪;李晓兵;徐海清;潘晓明
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

钛酸铋钠-钛酸钡铁电单晶的制备方法，属于晶体生长领域。本发明提供的制备方法，包括原料处理、升温熔化、生长和降温一系列单晶生长过程。其中籽晶杆旋转速度10～50rpm，提拉速率0.1～20mm/day，降温速率为1～20℃/day；晶体生长完成以后的降温速率为10～150℃/h。使用本发明提供的技术可以生长直径大于40mm，长度大于10mm的钛酸铋钠-钛酸钡铁电(NBBT)单晶，其压电常数d33达到280pC/N，机电耦合系数kt达到50％，其压电性能达到PZT陶瓷等含铅压电材料的水平，在实际中可以获得应用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN1693542A	2005-11-09	2005-03-22	钛酸铋钠钾系非铅铁电压电单晶及其生长方法与设备失效专利	山东大学
2	CN1810714A	2006-08-02	2006-01-19	无预烧钛酸铋钠—钛酸钡无铅压电陶瓷掺杂材料及其制备方法失效专利	湖北大学

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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