一种半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011064627.5
IPC分类号：H01L21/822;H01L23/00;H01L23/552;H01L23/60;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
申请日期：
2020-09-30
申请人：
长江存储科技有限责任公司

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著录项信息

专利名称	一种半导体器件及其制造方法
申请号	CN202011064627.5	申请日期	2020-09-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-01-08	公开/公告号	CN112201622A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/822 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕 H01L21/78 把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L 21/304）〔2，6〕 H01L21/82 制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路〔2〕 H01L21/822 衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L 21/8258优先）〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;2;2;;;H;0;1;L;2;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;5;5;2;;;H;0;1;L;2;3;/;6;0;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;5;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;8查看分类表>
申请人	长江存储科技有限责任公司	申请人地址	湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长江存储科技有限责任公司	当前权利人	长江存储科技有限责任公司
发明人	张文杰
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	柳虹

摘要

本申请提供一种半导体器件及其制造方法，包括提供衬底，衬底上形成有介质层，介质层中形成有器件结构，在所述器件结构外围对介质层进行部分厚度的刻蚀，得到第一沟槽，在第一沟槽底部进行刻蚀，得到贯穿介质层的第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽构成密封沟槽，第二沟槽的宽度小于第一沟槽，也就是说，这里的密封沟槽可以通过两次刻蚀工艺得到，构成上部宽度较大而下方宽度较小的结构，从而利于密封沟槽中的导体材料的填充质量，提高器件可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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