沟槽型MOSFET结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911156668.4
IPC分类号：H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78
申请日期：
2019-11-22
申请人：
矽力杰半导体技术（杭州）有限公司

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著录项信息

专利名称	沟槽型MOSFET结构及其制造方法
申请号	CN201911156668.4	申请日期	2019-11-22
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2020-03-20	公开/公告号	CN110896026A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人	矽力杰半导体技术（杭州）有限公司	申请人地址	浙江省杭州市余杭区仓前街道文一西路1500号3幢232室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州创勤传感技术有限公司	当前权利人	杭州创勤传感技术有限公司
发明人	王加坤;吴兵
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

公开了一种制造沟槽MOSFET的方法。包括：在半导体基底中形成从上表面延伸至其内部的沟槽；形成覆盖所述沟槽的侧壁、所述沟槽的底部以及所述半导体基底的上表面的第一绝缘层；在所述沟槽中形成覆盖所述沟槽的底部和下部侧壁的屏蔽导体，所述第一绝缘层将所述屏蔽导体与所述半导体基底隔开；形成覆盖所述屏蔽导体顶部的第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层共形形成介质层；去除位于所述半导体基底的上表面的介质层和位于所述沟槽上部侧壁的介质层，使得保留的所述介质层的上表面高于所述屏蔽导体的上表面。本发明简化现有技术中形成沟槽MOSFET的工艺步骤，从而降低生产成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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