后道金属互连层寄生电容统计模型的获取方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210249620.X
IPC分类号：G06F17/50
申请日期：
2012-07-18
申请人：
上海集成电路研发中心有限公司

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著录项信息

专利名称	后道金属互连层寄生电容统计模型的获取方法
申请号	CN201210249620.X	申请日期	2012-07-18
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2012-11-28	公开/公告号	CN102799732A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F17/50 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F17/00 特别适用于特定功能的数字计算设备或数据处理设备或数据处理方法〔6〕 G06F17/50 计算机辅助设计（静态存储的测试电路的设计入G11C 29/54）〔6，8〕	IPC分类号	G;0;6;F;1;7;/;5;0查看分类表>
申请人	上海集成电路研发中心有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高斯路497号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海集成电路研发中心有限公司	当前权利人	上海集成电路研发中心有限公司
发明人	任铮;胡少坚;周伟;陈寿面;赵宇航
代理机构	上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	吴世华;林彦之

摘要

本发明提供一种后道金属互连层寄生电容统计模型的获取方法，包括：采用主成分分析法，将相关的N层金属互连层的单层耦合电容的测量统计数据转化为M个独立不相关的变量，并提取所述M个独立不相关的变量的后道工艺参数及其统计分布，并获得正交映射矩阵及特征值，根据所述M个独立不相关的变量的后道工艺参数及其统计分布、以及正交映射矩阵及特征值，获取能够反映相关的各层金属互连层的耦合电容相关性以及各金属互连层的后道工艺参数统计分布的后道金属互连层寄生电容统计模型。

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