一种基于碳布原位生长三氧化钨超级电容器电极材料的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201810044071.X
IPC分类号：H01G11/24;H01G11/30;H01G11/32;H01G11/46;H01G11/86
申请日期：
2018-01-10
申请人：
青岛大学

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著录项信息

专利名称	一种基于碳布原位生长三氧化钨超级电容器电极材料的制备方法
申请号	CN201810044071.X	申请日期	2018-01-10
法律状态	驳回	申报国家	暂无
公开/公告日	2018-08-03	公开/公告号	CN108364794A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G11/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G11/00 混合电容器，即具有不同正极和负极的电容器；双电层（EDL）电容器；其制造方法或其零部件的制造方法〔2013.01〕 H01G11/22 电极〔2013.01〕 H01G11/24 以电极中材料组成或构成的结构特点为特征的，如形态、表面积或孔隙度；以为此使用的粉末或微粒的结构特点为特征的〔2013.01〕	IPC分类号	H;0;1;G;1;1;/;2;4;;;H;0;1;G;1;1;/;3;0;;;H;0;1;G;1;1;/;3;2;;;H;0;1;G;1;1;/;4;6;;;H;0;1;G;1;1;/;8;6查看分类表>
申请人	青岛大学	申请人地址	山东省青岛市市南区宁夏路308号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	青岛大学	当前权利人	青岛大学
发明人	杨东江;邹译慧;阴卓成;孙瑾
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种基于碳布原位生长三氧化钨超级电容器电极材料的制备方法。主要制备步骤如下：将碳布浸泡在盐酸中一晚上进行亲水处理，将处理后的碳布浸泡在钨酸的种子溶液中，浸泡完成后在马弗炉中进行烧结得到含有三氧化钨种子的碳布，然后将得到的碳布放到含有氯化钨的乙醇溶液中进行水热反应得到一种电容性能优异的电极材料，其比容量在电流密度为5mAcm‑2时可达600mFcm‑2，以此方法制备的超级电容器具有良好电容性能。现在已有的工作很难将三氧化钨的超电性能有效提升主要是因为三氧化钨差的导电性以及在电解液中反应的不充分。因此，提高三氧化钨的导电性已经增加其反应的活性位点是至关重要的。本发明通过将三氧化钨纳米片生长到导电性极强的碳布上来有效增加活性位点以及导电性从而提高超电性能。

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