Si掺杂InAs/GaAs量子点激光器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710870861.9
IPC分类号：H01S5/343
申请日期：
2017-09-22
申请人：
中国科学院半导体研究所

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著录项信息

专利名称	Si掺杂InAs/GaAs量子点激光器及其制备方法
申请号	CN201710870861.9	申请日期	2017-09-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-01-19	公开/公告号	CN107611780A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/343 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/30 激活区的结构或形状；用于激活区的材料〔7〕 H01S5/34 含有量子阱的或超晶格结构的，例如单量子阱激光器〔SQW-激光器〕、多量子阱激光器〔MQW-激光器〕，缓变折射率（光电）分别限制异质结构激光器〔GRINSCH-激光器〕（H01S5/36优先）〔7〕 H01S5/343 用AⅢBⅤ族化合物材料的，例如AlGaAs-激光器〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;3;4;3查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	杨涛;吕尊仁;张中恺
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	任岩

摘要

本发明公开了一种Si掺杂InAs/GaAs量子点激光器及其制备方法，其特征在于，所述量子点激光器包括量子点有源区(50)，该量子点有源区(50)包括Si掺杂的量子点层(51)；所述量子点激光器的制备方法为采用MBE外延生长方法依次在衬底(10)上生长缓冲层(20)、下包层(30)、下波导层(40)、量子点有源区(50)、上波导层(60)、上包层(70)以及欧姆接触层(80)。本发明提供的量子点激光器通过引入Si原子，有效钝化量子点附近的非辐射复合中心，增强了量子点材料的光学性能；同时，Si原子引入的电子可降低激光器件的阈值电流，提高器件性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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