一种太赫兹装置及其制备方法

1.一种太赫兹装置，其特征在于：所述的太赫兹装置由第一包裹层、扩散层、第二包裹层和能量层组成，所述的能量层依次被第二包裹层、扩散层、第一包裹层包裹在内；所述的第一包裹层和第二包裹层为水晶或玻璃；所述的水晶和所述的玻璃均为一端开口的管状；
所述的能量层为太赫兹组合物；所述的扩散层为扩散层组合物；所述的太赫兹组合物包括如下重量份数的原料组分：二氧化钛12‑16份，锗矿石8‑12份，钕矿石20‑25份，镧矿石12‑16份，铈矿石11‑13份，镁矿石5‑10份，磷矿石6‑8份，钙矿石5‑10份，稀土矿物质粉25‑35份；所述的稀土矿物质粉为镧和铕的混合物；所述的扩散层组合物包括如下重量份数的原料组分：二氧化硅40‑50份、氯化铁6‑7份、氧化镁0.02‑0.04份、氧化铬0.01‑0.02份、γ‑AlOOH纳米分散液3‑4份、氧化铝溶胶6‑8份。
2.根据权利要求1所述的太赫兹装置，其特征在于：所述的镧和铕的重量份数比为2：
0.7。
3.根据权利要求2所述的太赫兹装置，其特征在于：所述的太赫兹组合物包括如下重量份数的原料组分：二氧化钛14份，锗矿石10份，钕矿石22.5份，镧矿石14份，铈矿石12份，镁矿石7.5份，磷矿石7份，钙矿石7.5份，稀土矿物质粉30份；所述的扩散层组合物包括如下重量份数的原料组分：二氧化硅45份、氯化铁6.5份、氧化镁0.03份、氧化铬0.015份、γ‑AlOOH纳米分散液3.5份、氧化铝溶胶7份。
4.根据权利要求2所述的太赫兹装置，其特征在于：所述的太赫兹组合物包括如下重量份数的原料组分：二氧化钛12份，锗矿石8份，钕矿石20份，镧矿石12份，铈矿石11份，镁矿石
5份，磷矿石6份，钙矿石5份，稀土矿物质粉25份；所述的扩散层组合物包括如下重量份数的原料组分：二氧化硅40份、氯化铁6份、氧化镁0.02份、氧化铬0.01份、γ‑AlOOH纳米分散液3份、氧化铝溶胶6份。
5.根据权利要求2所述的太赫兹装置，其特征在于：所述的太赫兹组合物包括如下重量份数的原料组分：二氧化钛16份，锗矿石12份，钕矿石25份，镧矿石16份，铈矿石13份，镁矿石10份，磷矿石8份，钙矿石10份，稀土矿物质粉35份；所述的扩散层组合物包括如下重量份数的原料组分：二氧化硅50份、氯化铁7份、氧化镁0.04份、氧化铬0.02份、γ‑AlOOH纳米分散液4份、氧化铝溶胶8份。
6.权利要求1‑5任一所述的太赫兹装置的制备方法，其特征在于：所述的制备方法，步骤如下：
S1.在氯化铁中加入去离子水、γ‑AlOOH纳米分散液、氧化铝溶胶，混合搅拌，加入酸调节PH，浓缩，制得浓缩后的凝胶，置于模具中干燥，煅烧，进行球磨，加入氧化镁、氧化铬和二氧化硅，混合均匀，制得扩散层组合物；
S2.将锗矿石、钕矿石、镧矿石、铈矿石、镁矿石、磷矿石和钙矿石进行混合，粉碎，制得混合矿石粉末，在其中加入二氧化钛和稀土矿物质粉，搅拌，制得太赫兹组合物；
S3.将太赫兹组合物用第二包裹层、扩散层组合物、第一包裹层包裹起来，制得所述的太赫兹装置。
7.根据权利要求6所述的太赫兹装置的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述的氯化铁和去离子水的重量份数比为1：10。
8.根据权利要求6所述的太赫兹装置的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述的调节ph为调节至3。
9.根据权利要求6所述的太赫兹装置的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述的置于模具中干燥为0.5mm的厚度平铺置于模具中40℃下干燥24小时；所述的煅烧的条件为3℃/min的速率升温至600℃，保温1h；4℃/min的速率升温至1000℃保温1h；再以5℃/min的速率升温至2000℃，保温0.5h；所述的球磨至历经为100nm。
10.根据权利要求6所述的太赫兹装置的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述的粉碎为粉碎至100nm；所述的搅拌为80r/min的搅拌速率下搅拌60min。

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