一种基于热电堆的无线温度传感器

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202020553424.1
IPC分类号：G01J5/12;H01L35/32
申请日期：
2020-03-28
申请人：
无锡豪帮高科股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种基于热电堆的无线温度传感器
申请号	CN202020553424.1	申请日期	2020-03-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01J5/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01J 红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法〔2〕 G01J5/00 辐射高温测定法 G01J5/10 用电辐射检测器 G01J5/12 用热电元件，例如热电偶	IPC分类号	G;0;1;J;5;/;1;2;;;H;0;1;L;3;5;/;3;2查看分类表>
申请人	无锡豪帮高科股份有限公司	申请人地址	江苏省无锡市胡埭镇胡阳路1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡豪帮高科股份有限公司	当前权利人	无锡豪帮高科股份有限公司
发明人	张巧杏;张国珠;袁*
代理机构	江阴市轻舟专利代理事务所（普通合伙）	代理人	曹键

摘要

本实用新型涉及一种基于热电堆的无线温度传感器，其特征在于包括基体，所述基体的上下表面分别设置有上层氮化硅和下层氮化硅，所述上层氮化硅的设置有四排多晶硅条组，四排多晶硅条组形成口字形结构，每排多晶硅条组包括并排布置的多根多晶硅条，所述上层氮化硅的表面设置有多根金属条，多根金属条将所有的多晶硅条串联，在上层氮化硅的表面设置有热阻层，热阻层的中心为矩形的空腔，在该空腔处露出矩形的上层氮化硅，该处的上层氮化硅形成基于热电堆的无线温度传感器的红外辐射区。本实用新型得到了较为稳定的介质膜支撑方案，显著提高了成品率，并且通过该工艺得到的热电堆红外探测器，其性能相对于传统的热电堆探测器得到了较为明显的提高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供