一种沟槽IGBT结构多晶硅形貌优化工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN202110011375.8
IPC分类号：H01L21/331;H01L29/739;H01L29/423
申请日期：
2021-01-06
申请人：
江苏东海半导体科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种沟槽IGBT结构多晶硅形貌优化工艺
申请号	CN202110011375.8	申请日期	2021-01-06
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-14	公开/公告号	CN112802749A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/331 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/328 制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺〔5〕 H01L21/33 包括3个或更多电极的器件〔5〕 H01L21/331 晶体管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;1;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人	江苏东海半导体科技有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏东海半导体科技有限公司	当前权利人	江苏东海半导体科技有限公司
发明人	夏华忠;黄传伟;李健;谈益民
代理机构	苏州谨和知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	叶栋

摘要

本发明公开了一种沟槽IGBT结构多晶硅形貌优化工艺，包括IGBT本体，其特征在于：所述IGBT本体由栅极、发射极和集电极三个极控制，所述IGBT本体的主要静态参数为：①阻断电压V(BR)CES—器件在正向阻断状态下的耐压；②通态压降VCE(on)—器件在导通状态下的电压降；③阈值电压VGE(th)—器件从阻断状态到导通状态所需施加的栅极电压VG，沟槽栅IGBT的载流子浓度逐步升高，更高的载流子浓度有利于降低通态损耗；另一方面，载流子越少，越有利于降低关断损耗，可以通过增加每个IGBT导电沟道的宽度来降低UEmitter‑Drain，沟槽栅IGBT垂直结构的导电沟道更有利于设计紧凑的元胞，即在同等芯片面积上可以制作更多的IGBT元胞，从而增加导电沟道的宽度，另外，UEmitter‑Drain可以通过消除JFET效应进一步降低。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供