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半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510138045.6
  • IPC分类号:H01L21/84;H01L27/12;G02F1/13
  • 申请日期:
    2005-11-22
  • 申请人:
    株式会社半导体能源研究所
著录项信息
专利名称半导体器件及其制造方法
申请号CN200510138045.6申请日期2005-11-22
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-08-23公开/公告号CN1822351
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/84
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;8;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;G;0;2;F;1;/;1;3查看分类表>
申请人株式会社半导体能源研究所申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社半导体能源研究所当前权利人株式会社半导体能源研究所
发明人山本良明;田中幸一郎;矶部敦生;大柄根大辅;山崎舜平
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人吴立明;王忠忠
摘要
半导体器件及其制造方法,本发明的目的在于提供一种通过不同于专利文献1中公开的方法从衬底分离薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的电路或半导体器件,并将该薄膜晶体管和电路或半导体器件移位到具有柔性的衬底上的方法。根据本发明,在绝缘膜处形成了大开口或多个开口,在开口处形成了连接薄膜晶体管的导电膜,以及移除了剥离层,然后,将具有薄膜晶体管的层移位到提供有导电膜等的衬底上。根据本发明的薄膜晶体管具有通过激光照射结晶化的半导体膜,并且防止不必用激光照射的剥离层暴露在激光照射下。

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