SiC半导体衬底及其制造方法和制造装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201980072577.4
IPC分类号：C30B29/36;C30B25/20;H01L21/205
申请日期：
2019-11-05
申请人：
学校法人关西学院;丰田通商株式会社

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专利名称	SiC半导体衬底及其制造方法和制造装置
申请号	CN201980072577.4	申请日期	2019-11-05
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-06	公开/公告号	CN113227465A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/36 碳化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;C;3;0;B;2;5;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5查看分类表>
申请人	学校法人关西学院;丰田通商株式会社	申请人地址	日本国兵库县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	学校法人关西学院,丰田通商株式会社	当前权利人	学校法人关西学院,丰田通商株式会社
发明人	金子忠昭;芦田晃嗣;井原知也;堂岛大地
代理机构	北京商专永信知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	方挺;侯晓艳

摘要

本发明的目的是提供一种能够降低生长层中的基面位错(BPD)的密度的SiC半导体衬底及其制造方法及其制造装置。其特征在于包括：应变层去除步骤(S10)，用于去除导入到SiC衬底(10)的表面的应变层(11)；和外延生长步骤(S20)，用于在使SiC衬底(10)的平台宽度W增大的条件下进行生长。通过以这样的步骤制造SiC半导体衬底(14)，可以减少生长层(13)中的基面位错BPD，并且可以提高SiC半导体装置的成品率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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