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一种铌三锡薄膜的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110200313.1
  • IPC分类号:C23C14/16;C23C14/34;C23C14/58
  • 申请日期:
    2021-02-23
  • 申请人:
    中国科学院近代物理研究所
著录项信息
专利名称一种铌三锡薄膜的制备方法
申请号CN202110200313.1申请日期2021-02-23
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-06-22公开/公告号CN113005406A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/16IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;1;6;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;2;3;C;1;4;/;5;8查看分类表>
申请人中国科学院近代物理研究所申请人地址
甘肃省兰州市城关区南昌路509号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院近代物理研究所当前权利人中国科学院近代物理研究所
发明人潘峰;谭腾;郭浩;初青伟;熊平然;何源;武博;史一功
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司代理人吴爱琴
摘要
本发明涉及一种高质量铌三锡薄膜的制备方法,旨在解决一般铌三锡薄膜制备需要高温,无法应用于铜等低熔点基材的问题。制备方法的核心为采用锡含量(质量分数)12~16%的高锡青铜作为衬底,将衬底清洗干净并吹干,其次衬底置于溅射镀膜系统中,溅射铌,在不经额外热处理的情况下,直接在衬底表面反应生成高质量的铌三锡镀层,为制备低熔点基材铌三锡薄膜材料及其工业化应用打下了良好的基础。

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