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一种提高功率的LED芯片

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201020613904.9
IPC分类号：H01L33/40;H01L33/42
申请日期：
2010-11-18
申请人：
西安麟字半导体照明有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种提高功率的LED芯片
申请号	CN201020613904.9	申请日期	2010-11-18
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/40 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/36 以电极为特征的〔2010.01〕 H01L33/40 相应的材料〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;0;;;H;0;1;L;3;3;/;4;2查看分类表>
申请人	西安麟字半导体照明有限公司	申请人地址	陕西省西安市高新六路52号立人科技园C座2层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安麟字半导体照明有限公司	当前权利人	西安麟字半导体照明有限公司
发明人	席俭飞;潘世强
代理机构	西安智邦专利商标代理有限公司	代理人	商宇科

摘要

本实用新型提供了一种提高功率的LED芯片，其包括P型GaN层、N型GaN层、设置在P型GaN层上的阳极以及设置在N型GaN层上的阴极；N型GaN层设置在P型GaN层上，阳极和N型GaN层之间设置有电流扩散层，所述电流扩散层是氧化锌。本实用新型可以大大的增加光子的出射率，从而提高了功率裸芯片的出光效率，降低了芯片的发热量。

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