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一种等级蜂窝状Ni3S2薄膜电极的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910745285.4
  • IPC分类号:H01G11/86;H01G11/30;H01G11/26
  • 申请日期:
    2019-08-13
  • 申请人:
    三峡大学
著录项信息
专利名称一种等级蜂窝状Ni3S2薄膜电极的制备方法
申请号CN201910745285.4申请日期2019-08-13
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-11-12公开/公告号CN110444412A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01G11/86IPC分类号H;0;1;G;1;1;/;8;6;;;H;0;1;G;1;1;/;3;0;;;H;0;1;G;1;1;/;2;6查看分类表>
申请人三峡大学申请人地址
湖北省宜昌市西陵区大学路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三峡大学当前权利人三峡大学
发明人肖婷;谭新玉;向鹏;姜礼华
代理机构宜昌市三峡专利事务所代理人成钢
摘要
本发明公开了一种等级蜂窝状Ni3S2薄膜电极及其制备方法,首先以泡沫镍为基底,硝酸镍为镍源,六次甲基四胺(HMTA)为成核剂,采用水热法,得到由纳米片构成的Ni(OH)2蜂窝状薄膜;再以Ni(OH)2为基底,乙二醇作为溶剂,硫脲作为成核剂和硫化剂,一方面对Ni(OH)2进行硫化,使其转化成Ni3S2蜂窝,同时在Ni3S2上生成二次纳米片结构,即可得到等级蜂窝状Ni3S2薄膜电极。一方面,Ni3S2的导电性比Ni(OH)2更高,能加速电化学过程中电子传输;同时本发明制备的Ni3S2薄膜呈等级蜂窝结构,即组成蜂窝结构的纳米片表面又布满小纳米片团簇,该结构比单一蜂窝结构具有更大的比表面积,能提供更多的电化学反应活性位点,同时有利于电解液浸润和电解液离子传输,从而具有优异的电化学性能。

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