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一种光刻用无机抗反射膜SiON的表面处理方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN02112152.4
  • IPC分类号:H01L21/302;H01L21/027;H01L21/3105
  • 申请日期:
    2002-06-20
  • 申请人:
    上海华虹(集团)有限公司
著录项信息
专利名称一种光刻用无机抗反射膜SiON的表面处理方法
申请号CN02112152.4申请日期2002-06-20
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2002-12-18公开/公告号CN1385885
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/302IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;0;5查看分类表>
申请人上海华虹(集团)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区碧波路177号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹(集团)有限公司,上海集成电路研发中心有限公司当前权利人上海华虹(集团)有限公司,上海集成电路研发中心有限公司
发明人缪柄有;徐小诚
代理机构上海正旦专利代理有限公司代理人陶金龙;陆飞
摘要
本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域,具体涉及到一种光刻用无机抗反射膜SiON的表面处理方法。目前SiON作为一种无机抗反射膜材料;其缺点是:光刻胶底膜的留存问题,这在很大定程度上影响了图形转移的准确性;并且随着工业生产中光刻向深紫外短波长转移,减小来自衬底的反射光的影响构成了一种挑战。主要原因是SiON表面的胺基(-NH2)集团与光刻胶反应所致。本发明是用PECVD方法淀积SiON后,在原位先用Ar等离子体进行表面轰击;再紧接着用N2O+Ar或He混合等离子体进行表面氧化处理,从而改善了图形转移准确性。

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