具有穿衬底通孔的半导体器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201210327420.1
IPC分类号：H01L23/48;H01L21/768
申请日期：
2012-08-09
申请人：
马克西姆综合产品公司

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著录项信息

专利名称	具有穿衬底通孔的半导体器件
申请号	CN201210327420.1	申请日期	2012-08-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-03-06	公开/公告号	CN102956588A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	马克西姆综合产品公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	马克西姆综合产品公司	当前权利人	马克西姆综合产品公司
发明人	A·V·萨莫伊洛夫;T·帕伦特;X·郢
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	舒雄文;王英

摘要

本发明涉及一种具有在其中形成的穿衬底通孔的半导体器件。在一个或多个实施方式中，所述半导体器件包括利用构图的粘结材料接合在一起的顶部晶片和底部晶片。所述顶部晶片和所述底部晶片包括在其中形成的一个或多个集成电路。所述集成电路连接至配置在所述顶部和所述底部晶片的表面上的一个或多个导电层。形成贯穿所述顶部晶片和所述构图的粘结材料的过孔，使得可以在形成在所述顶部晶片中的所述集成电路与形成在所述底部晶片中的所述集成电路之间形成电互连。所述过孔包括在所述顶部与所述底部晶片之间提供电互连的导电材料。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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