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半导体封装件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110195591.2
  • IPC分类号:H01L25/07;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/498
  • 申请日期:
    2021-02-19
  • 申请人:
    三星电子株式会社
著录项信息
专利名称半导体封装件
申请号CN202110195591.2申请日期2021-02-19
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-05公开/公告号CN113611693A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L25/07IPC分类号H;0;1;L;2;5;/;0;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8查看分类表>
申请人三星电子株式会社申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电子株式会社当前权利人三星电子株式会社
发明人崔东朱;白承德;金荣得
代理机构北京市立方律师事务所代理人李娜;王占杰
摘要
提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:下半导体芯片,所述下半导体芯片包括下半导体衬底、覆盖所述下半导体衬底的无源表面的后表面保护层、多个下通路电极、以及布置在所述后表面保护层上的多个后表面信号焊盘和多个后表面导热焊盘;上半导体芯片,所述上半导体芯片包括上半导体衬底、位于所述上半导体衬底的有源表面上的布线结构、覆盖所述布线结构并具有多个前表面开口的前表面保护层、以及填充所述前表面开口的多个信号通路和多个导热通路;以及多个信号凸块和多个导热凸块,所述多个信号凸块连接在所述后表面信号焊盘与所述信号通路之间,所述多个导热凸块连接在所述后表面导热焊盘与所述导热通路之间。

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