半导体装置的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010254687.3
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/683
申请日期：
2010-08-13
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置的制造方法
申请号	CN201010254687.3	申请日期	2010-08-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-03-30	公开/公告号	CN101996858A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;3查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	吕咏铮;陈明发;陈承先;黄招胜
代理机构	隆天知识产权代理有限公司	代理人	姜燕;陈晨

摘要

本发明揭示一种半导体装置的制造方法。一实施例包括一半导体晶片载板，其中为了增强静电吸盘(electrostaticchuck)与载板之间的库伦力(coulombicforce)，将导电掺杂物注入于载板内，以补偿因较薄的半导体晶片而下降的库伦力。另一实施例中，利用在载板内形成导电层及通孔结构(via)以取代导电掺杂物。本发明可避免高电压施加于半导体晶片所潜在的任何负面效应，并具有更便宜的制造程序。

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