鳍形场效晶体管半导体存储器的字线和位线排列

发明专利无效专利

申请号：
CN03821239.0
IPC分类号：H01L27/115;H01L27/105;H01L21/8247;H01L21/8246
申请日期：
2003-08-21
申请人：
因芬尼昂技术股份公司

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著录项信息

专利名称	鳍形场效晶体管半导体存储器的字线和位线排列
申请号	CN03821239.0	申请日期	2003-08-21
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-10-12	公开/公告号	CN1682372
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/115 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;;;H;0;1;L;2;7;/;1;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;6查看分类表>
申请人	因芬尼昂技术股份公司	申请人地址	德国慕尼黑变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	因芬尼昂技术股份公司	当前权利人	因芬尼昂技术股份公司
发明人	F·霍夫曼恩;T·舒尔滋;M·斯佩奇特
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	余刚;李丙林

摘要

本发明涉及一种半导体存储器，其具有由半导体材料制成的多个鳍形物(FIN)，其彼此分离且有多个信道区域与接触区域(S/D)形成于各鳍形物(FIN)中；多个字线(WL)；多个储存层(14)，至少一储存层(14)是排列在各信道区域与该字线(WL)间；以及多个位线(BL)。其中，第一位线部分(22)的纵轴与一第一位线方向((BL1))平行而第二位线部分(24)的纵轴与一第二位线方向((BL2))平行，该第二位线方向((BL2))相对于该第一位线方向((BL1))而旋转；以及各位线(BL)电性连接至多个接触区域(S/D)，在连接至一位线(BL)的同一鳍形物(FIN)的两接触区域(S/D)间有一未连接至此一位线(BL)的接触区域(S/D)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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