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一种发光二极管芯片的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910055921.7
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2009-08-05
  • 申请人:
    上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司
著录项信息
专利名称一种发光二极管芯片的制造方法
申请号CN200910055921.7申请日期2009-08-05
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-02-03公开/公告号CN101640242
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海蓝光科技有限公司,彩虹集团公司当前权利人上海蓝光科技有限公司,彩虹集团公司
发明人郝茂盛;李士涛;张楠;陈诚
代理机构上海光华专利事务所代理人余明伟
摘要
本发明公开了一种发光二极管芯片的制造方法,该方法包括以下步骤:步骤一,在半导体衬底之上生长发光二极管结构的半导体外延层;步骤二,在所述半导体外延层上制备透明导电层;步骤三,对步骤二所得结构进行局部刻蚀,使部分n型氮化物半导体层露出;步骤四,对所得结构表面和透明导电层在一定条件下利用N2O进行处理;步骤五,在n型氮化物半导体层上制备n电极,在p型氮化物半导体层上制备p电极;步骤六,在步骤五所得的结构上表面制备SiO2保护膜,只露出n电极及p电极。采用N2O在一定条件下对刻蚀后的芯片结构进行处理,既可以使得由于刻蚀而损伤的部分得到恢复,还可以达到强化透明导电层的效果,从而改善了芯片的性能,提高芯片的寿命。

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