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基于片式压敏电阻的纳秒级静电放电电流试验设备

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810150209.0
  • IPC分类号:G01R31/00;G01R19/00
  • 申请日期:
    2008-06-30
  • 申请人:
    西安交通大学
著录项信息
专利名称基于片式压敏电阻的纳秒级静电放电电流试验设备
申请号CN200810150209.0申请日期2008-06-30
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-12-10公开/公告号CN101320068
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01R31/00IPC分类号G;0;1;R;3;1;/;0;0;;;G;0;1;R;1;9;/;0;0查看分类表>
申请人西安交通大学申请人地址
陕西省西安市咸宁路28号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安交通大学当前权利人西安交通大学
发明人姚学玲;陈景亮;孙伟
代理机构西安通大专利代理有限责任公司代理人张震国
摘要
基于片式压敏电阻的纳秒级静电放电电流试验设备,采用由片式压敏电阻的静电脉冲形成电路、静电脉冲控制电路、测量夹具、测试电路及计算机管理系统。能够对片式压敏电阻进行0-30kV的单次、规定频率0-50Hz和连续等模式的上升时间为1~2ns的静电放电试验,可以设置放电电压、放电频率、放电次数以及选择试验模式等多项功能。采用鼠笼式快速电流传感器和示波器与工业控制计算机组成的自动测试系统,并采用可视化化的编程环境(如LabView,VB,VC等),完成片式压敏电阻静电放电试验的数据管理、波形存储于分析、数据查询及报表输出等多项功能。

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