基于阳极键合工艺的热式风速风向传感器及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010573973.6
IPC分类号：H01L21/60;H01L21/8238
申请日期：
2010-12-06
申请人：
东南大学

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专利名称	基于阳极键合工艺的热式风速风向传感器及其制备方法
申请号	CN201010573973.6	申请日期	2010-12-06
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-06-01	公开/公告号	CN102082105A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/60 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/60 引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;8查看分类表>
申请人	东南大学	申请人地址	江苏省南京市四牌楼2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东南大学	当前权利人	东南大学
发明人	董自强;黄庆安;秦明
代理机构	南京天翼专利代理有限责任公司	代理人	汤志武

摘要

本发明公开一种基于阳极键合工艺的圆片级封装热式风速风向传感器，包括以下步骤：第一步，硅芯片的制备，利用标准CMOS工艺制作加热元件、热传感测温元件和电引出焊盘，并利用MEMS干法刻蚀工艺刻蚀掉硅芯片正表面阳极键合区域的氧化层，露出硅基。第二步，封装玻璃基板的制备，利用湿法腐蚀工艺制备阳极键合用凸台，并利用激光刻蚀工艺制备电引出用通孔；第三步，利用阳极键合技术将硅芯片和封装玻璃基板实现键合封装；第四步，利用减薄工艺对硅芯片衬底进行减薄；第五步，将陶瓷传感基板贴封至减薄后的对芯片背面；第六步，划片，完成传感器的制备。整个传感器的制备过程，所使用的制备工艺与标准CMOS工艺兼容，后处理工艺简单，封装阳极键合技术实现对传感用硅芯片的正面保护，陶瓷基本贴封至减薄后的硅芯片背面一方面作为热敏感材料感知外界环境中风的变化，另一方面用于保护硅芯片。传感器的实现了圆片级封装，具有工艺一致性高，兼容性好，后续工艺简单，低成本的特点。

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