制造掺杂高挥发性异物的硅单晶的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200310104772.1
IPC分类号：C30B15/04
申请日期：
2003-10-30
申请人：
瓦克硅电子股份公司

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专利名称	制造掺杂高挥发性异物的硅单晶的方法
申请号	CN200310104772.1	申请日期	2003-10-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2004-05-26	公开/公告号	CN1498988
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B15/02 向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的〔3〕 C30B15/04 添加掺杂材料，例如用于n-p结的〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;4查看分类表>
申请人	瓦克硅电子股份公司	申请人地址	德国慕尼黑变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	硅电子股份公司	当前权利人	硅电子股份公司
发明人	马丁·韦伯;彼得·维尔茨曼;埃里希·格迈尔鲍尔;罗伯特·沃尔布希纳
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	过晓东

摘要

一种通过由预定加工条件下容纳在坩埚内的熔化物抽拉硅单晶来制造掺杂高挥发性异物的硅单晶的方法，坩埚内添加适量异物N0以达成该熔化物的预期电阻，于t时间之后，将数量为ΔN(t)的异物后掺杂在熔化物内至少一次，以补偿异物蒸发出熔化物所造成的损失，其中异物的量ΔN(t)是依照方程式ΔN(t)＝N0-N(t)＝N0·(1-e-λa·t)或依照近似方程式ΔN(t)＝N0·λa·t计算出来的，式中λa是说明异物加工特殊蒸发性质的蒸发系数，且是已经测量另一单晶的电阻分布R(t)之后并依照方程式R(t)＝R0·eλa·t计算求得，其中R0是起始电阻率，并且所述另一单晶是在预定加工条件下抽拉，但未经后掺杂异物。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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