一种控制其表面生长的石墨烯的形核密度的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410845545.2
IPC分类号：C23C28/04;C23C16/26;C23C22/05
申请日期：
2014-12-31
申请人：
泰州巨纳新能源有限公司;泰州石墨烯研究检测平台有限公司;上海巨纳科技有限公司

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专利名称	一种控制其表面生长的石墨烯的形核密度的方法
申请号	CN201410845545.2	申请日期	2014-12-31
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2015-04-29	公开/公告号	CN104562005A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C28/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C28/00 用不包含在C23C 2/00至C23C 26/00各大组中单一组的方法，或用包含在C23C小类的方法与C25D小类中方法的组合以获得至少二层叠加层的镀覆〔4〕 C23C28/04 仅为无机非金属材料覆层〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;2;8;/;0;4;;;C;2;3;C;1;6;/;2;6;;;C;2;3;C;2;2;/;0;5查看分类表>
申请人	泰州巨纳新能源有限公司;泰州石墨烯研究检测平台有限公司;上海巨纳科技有限公司	申请人地址	江苏省泰州市凤凰西路168号5号楼二层东变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	泰州飞荣达新材料科技有限公司	当前权利人	泰州飞荣达新材料科技有限公司
发明人	丁荣;梁铮;倪振华;陈玉明;袁文军
代理机构	南京正联知识产权代理有限公司	代理人	卢霞

摘要

本发明提供了一种控制其表面生长的石墨烯的形核密度的方法，其特征在于，包括如下步骤：配制质量浓度为5‑30%的双氧水；将铜箔浸泡其中，铜箔被双氧水氧化；然后用该预处理后的铜箔用于CVD生长石墨烯。所述的步骤2）中的浸泡时间为5‑60s。相比较于其他控制铜箔表面石墨烯形核密度的方法，本方法简便易行，只需要预先对铜箔进行双氧水浸泡就可以有效降低铜箔表面石墨烯的形核密度。同时，本方法也可以与其他控制方法联合使用，在本方法的基础上，通过控制混气比、气体压强、铜箔表面粗糙度、生长温度等，可以进一步降低形核密度，提高石墨烯薄膜的单晶尺寸。

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