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SiCMOS电容器件制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910183875.2
  • IPC分类号:H01L29/94;H01L21/329
  • 申请日期:
    2019-03-12
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称SiCMOS电容器件制备方法
申请号CN201910183875.2申请日期2019-03-12
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-06-28公开/公告号CN109950327A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/94
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;9;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人王世海;许恒宇;万彩萍;金智
代理机构北京汇泽知识产权代理有限公司代理人程殿军
摘要
本发明提供一种SiCMOS电容器件制备方法,从衬底材料的角度出发研究电学性能的变化来改善SiCMOS器件的性能,具体地通过对SiC外延晶片采用背面减薄工艺来改变SiC外延晶片的应力,不仅能够实现低温工艺以及避免常规等离子体刻蚀给SiC表面带来的损伤以保持SiCMOS电容器件的稳定性,而且能够有效地减小SiC/SiO2界面态密度以改善器件的迁移率特性。

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