具有反馈功能的灵敏放大器钳位电路

发明专利有效专利

申请号：
CN201710068670.0
IPC分类号：G11C7/06;G11C5/14
申请日期：
2017-02-08
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司

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著录项信息

专利名称	具有反馈功能的灵敏放大器钳位电路
申请号	CN201710068670.0	申请日期	2017-02-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-06-20	公开/公告号	CN106875964A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C7/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C7/00 数字存储器信息的写入或读出装置（G11C 5/00优先；用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193）〔2，5〕 G11C7/06 读出放大器；相关的电路（放大器本身入H03F，H03K）〔1，7〕	IPC分类号	G;1;1;C;7;/;0;6;;;G;1;1;C;5;/;1;4查看分类表>
申请人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	王鑫
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	戴广志

摘要

本发明公开了一种具有反馈功能的灵敏放大器钳位电路，其特征在于：包含三个PMOS、三个NMOS、一个比较器，第一PMOS的源极接电源，漏极接第一NMOS的漏极以及比较器的正向输入端，比较器的反向输入端接参考电压，第一NMOS的源极接存储单元；第一PMOS的栅极接预充电信号；第二PMOS与第二NMOS串联，第三PMOS与第三NMOS串联，第二PMOS的源极与第三PMOS的源极接电源，第二NMOS与第三NMOS的漏极均接地，第二PMOS与第二NMOS的栅极接第一NMOS的源极；第一NMOS的栅极接第二PMOS的漏极；第三PMOS与第三NMOS的栅极并联后与第三PMOS的漏极短接；比较器输出比较信号。本发明在传统灵敏放大器钳位电路的基础上增加两个PMOS以及两个NMOS，形成自反馈结构，提供更加稳定的钳位电压。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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