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半导体存储装置及其测试方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810039753.1
  • IPC分类号:G11C29/42;G11C29/44
  • 申请日期:
    2018-01-16
  • 申请人:
    爱思开海力士有限公司
著录项信息
专利名称半导体存储装置及其测试方法
申请号CN201810039753.1申请日期2018-01-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-10-23公开/公告号CN108694987A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11C29/42IPC分类号G;1;1;C;2;9;/;4;2;;;G;1;1;C;2;9;/;4;4查看分类表>
申请人爱思开海力士有限公司申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人爱思开海力士有限公司当前权利人爱思开海力士有限公司
发明人姜材锡
代理机构北京弘权知识产权代理有限公司代理人李少丹;许伟群
摘要
一种半导体存储装置包括响应于储存数据和预期数据来产生检测码的比较电路,响应于检测码来产生计数码的计数电路,响应于选择信号来将多个预期码中的一个预期码输出为选择码的选择码输出电路,以及多个信号储存电路。比较结果输出电路包括多个信号储存电路,该比较结果输出电路根据选择信号来将计数码与选择码之间的比较的比较结果储存在多个信号储存电路之中的一个信号储存电路中,以及响应于输出使能信号来将储存在多个信号储存电路之中的一个信号储存电路中的值输出为结果信号。

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