MIM电容器及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010527976.X
IPC分类号：H01L23/522;H01L49/02
申请日期：
2020-06-11
申请人：
华虹半导体（无锡）有限公司

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著录项信息

专利名称	MIM电容器及其制造方法
申请号	CN202010527976.X	申请日期	2020-06-11
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2020-09-11	公开/公告号	CN111653544A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/522 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;4;9;/;0;2查看分类表>
申请人	华虹半导体（无锡）有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新吴区新洲路30号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华虹半导体（无锡）有限公司	当前权利人	华虹半导体（无锡）有限公司
发明人	杨宏旭;刘俊文;牛忠彩
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	戴广志

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种MIM电容器及其制造方法。MIM电容器结构制备于金属互连结构上，金属互连结构的上表面中形成金属图形，第一透明导电层对准金属图形，形成MIM电容器结构的下极板；第二透明导电层对准金属图形，形成MIM电容器结构的上极板；介电层位于第一透明导电层和第二透明导电层之间，形成MIM电容器结构的中间介质层。方法至少包括：提供一金属互连结构；在金属互连结构的上表面制作由下至上依次层叠的NDC层、第一透明导电层、介电层和第二透明导电层；对准金属图形进行针对第二透明导电层的光刻刻蚀工艺，形成MIM电容器结构的上极板；对准金属图形进行针对第一透明导电层的光刻刻蚀工艺，形成MIM电容器结构的下极板。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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