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LDMOS及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310473814.2
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L21/265
  • 申请日期:
    2013-10-12
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称LDMOS及其制造方法
申请号CN201310473814.2申请日期2013-10-12
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2015-04-29公开/公告号CN104576374A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人黄晨
代理机构北京德琦知识产权代理有限公司代理人牛峥;王丽琴
摘要
本发明提供了一种LDMOS及其制造方法:A、在基底上形成LDNMOS区内用于隔离P型阱和N-漂移区的STI;B、在LDNMOS区进行离子注入形成P型阱;C、在所述P型阱内离子注入形成位于栅极结构两侧对称设置的N-漂移区;D、在N-漂移区之间的基底表面形成栅极结构;E、在N-漂移区中进行N+掺杂形成源极和漏极;该方法还包括:在步骤D形成栅极结构之前的任意两个步骤之间或者在LDPMOS形成过程中,对所述漏极一侧的N-漂移区进行预定深度的离子注入形成P反型离子漂浮区,所述P反型离子漂浮区位于N-漂移区中,与STI和漏极具有预定间隔。本发明还提供了一种LDMOS及其制造方法。本发明能够提高击穿电压。

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