半导体存储装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202021866719.0
IPC分类号：H01L27/108;H01L21/8242
申请日期：
2020-08-31
申请人：
福建省晋华集成电路有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	半导体存储装置
申请号	CN202021866719.0	申请日期	2020-08-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/108 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/108 动态随机存取存储结构的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;2查看分类表>
申请人	福建省晋华集成电路有限公司	申请人地址	福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	福建省晋华集成电路有限公司	当前权利人	福建省晋华集成电路有限公司
发明人	张钦福;冯立伟;洪士涵;童宇诚
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	霍文娟

摘要

本实用新型公开了一种半导体存储装置，该半导体存储装置包含基底、多个闸极、多个位线、以及虚置位线。多个闸极沿着第一方向设置在基底内，多个位线沿着第二方向设置在基底上，虚置位线沿着第二方向设置在多个位线外侧，虚置位线的一侧壁上设有多个突出部，多个突出部系自多个位线的顶面延伸至底面，并且多个突出部在第二方向上具有相同的长度。藉此，利用该些突出部可隔离延伸至位线之外的该些闸极，而在简化的制作工艺下，形成组件可靠度较佳的半导体存储装置。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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