四氟乙烯硅片腐蚀装置

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201320191654.8
IPC分类号：G01N1/32
申请日期：
2013-04-03
申请人：
陕西天宏硅材料有限责任公司

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著录项信息

专利名称	四氟乙烯硅片腐蚀装置
申请号	CN201320191654.8	申请日期	2013-04-03
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N1/32 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N1/00 取样；制备测试用的样品（用于自动分析的材料处理入G01N 35/00） G01N1/28 测试用样品的制备（将样品安装在显微镜载片上入G02B 21/34；电子显微镜中支承被分析的物品或材料的装置入H01J 37/20） G01N1/32 抛光；腐蚀	IPC分类号	G;0;1;N;1;/;3;2查看分类表>
申请人	陕西天宏硅材料有限责任公司	申请人地址	陕西省咸阳市渭城区正阳镇河堤路东段变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	陕西天宏硅材料有限责任公司	当前权利人	陕西天宏硅材料有限责任公司
发明人	穆玥;魏文昌;翁博丰;刘松林;李咏梅
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型涉及一种四氟乙烯硅片腐蚀装置，它包括：2个腐蚀槽和1个样片篮组成，腐蚀槽为长方体结构，底面和四个侧面密封，上面敞开，样片篮也为长方体结构，样片篮的样品放置位置设计成隔断结构，每个隔断空间可以让一对样片竖直的放入，样片篮内的隔断板为实板，底面和四个侧面均为成孔板，孔密度10000个/m2，其中一个侧面设计成提手，其提手高度为另一个侧面高度的两倍；所述的样片篮内的隔断板为四氟乙烯材质实板，样片篮的底面和四个侧面均为四氟乙烯材质孔板。样片篮的高度低于腐蚀槽的高度。本实用新型经实际使用验证，其具有低损耗，使用寿命长，可操作性强等优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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