加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

改善感光集成电路之光子表现之方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610001625.5
  • IPC分类号:H01L27/14;H01L21/822
  • 申请日期:
    2006-01-18
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称改善感光集成电路之光子表现之方法
申请号CN200610001625.5申请日期2006-01-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2006-08-30公开/公告号CN1825603
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/14IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人傅士奇;刘源鸿;林国楹;许峰嘉;蔡嘉雄;郭景森;陈界璋
代理机构北京连和连知识产权代理有限公司代理人包红健
摘要
本发明提供一种形成在内层介电层(ILD)的导光图案层(light-directingfeature),结合抗反射层(AR),可同时有效增加量子效率与抗扰性,因此改善感光集成电路之光子表现的方法。其步骤包含形成多个光传感器单元在半导体基材上,接着,形成抗反射层在这些光传感器单元上,此抗反射层实质上不会使入射光产生反射,然后,形成内层介电层在此抗反射层之上,其中内层介电层包含形成在其开口的多个导光图案层,且这些导光图案层位于抗反射层上以及部分光传感器单元之上方。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供