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半导体发光元件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510004500.3
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2005-01-24
  • 申请人:
    松下电器产业株式会社
著录项信息
专利名称半导体发光元件及其制造方法
申请号CN200510004500.3申请日期2005-01-24
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-08-03公开/公告号CN1649180
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人松下电器产业株式会社申请人地址
日本大阪府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人松下电器产业株式会社当前权利人松下电器产业株式会社
发明人油利正昭
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人汪惠民
摘要
本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法。在蓝宝石基板(1)上依次形成n型GaN层(2)、InGaN多量子阱活性层(3)、p型AlGaN电子势垒层(4)、p型AlGaN/GaN应变超晶格层(5)以及p型GaN接触层(6)。通过以在p型GaN接触层(6)的光取出部上具备开口的方式形成p侧欧姆电极(7)。在p型GaN接触层(6)的光取出部,通过使用甲醇、氟酸、以及过氧水的混合溶液的湿式蚀刻,而形成多孔结构(9)。因此,这种半导体发光元件,无需使用微细光刻技术或者干式蚀刻技术,而光取出效率高且放射图案良好。

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