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脑深部痫性放电引导电极

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201020647655.5
  • IPC分类号:A61N1/04;A61N1/14
  • 申请日期:
    2010-12-08
  • 申请人:
    梁树立
著录项信息
专利名称脑深部痫性放电引导电极
申请号CN201020647655.5申请日期2010-12-08
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号A61N1/04IPC分类号A;6;1;N;1;/;0;4;;;A;6;1;N;1;/;1;4查看分类表>
申请人梁树立申请人地址
北京市阜成路51号解放军总医院第一附属医院 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人梁树立当前权利人梁树立
发明人梁树立
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本实用新型提供了一种脑深部痫性放电引导电极,包括长条形硅胶主体、分别位于硅胶主体两端的头端触点和末端电极片、及嵌设于所述硅胶主体内的导线,所述导线连接所述头端触点和末端电极片,所述硅胶主体宽度均匀,所述头端触点固定于所述硅胶主体上,所述末端电极片呈圆形片状,其面积大于所述头端触点的面积。相较于现有技术,本实用新型所述的脑深部痫性放电引导电极可有效将颅骨内脑皮层处的高电压痫性放电传导至颅骨外头皮下的末端电极片中,从而迅速降低脑皮层部位的电压水平,可减少或控制癫痫的发作。

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