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电感结构的制作方法以及电感结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410352936.0
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/522
  • 申请日期:
    2014-07-23
  • 申请人:
    上海华虹宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称电感结构的制作方法以及电感结构
申请号CN201410352936.0申请日期2014-07-23
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-10-08公开/公告号CN104091781A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2查看分类表>
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人黎坡
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人高静;骆苏华
摘要
本发明提供一种电感结构的制作方法和电感结构,本发明电感结构的制作方法包括:提供衬底;在衬底上形成介质层和位于所述介质层中的电感线圈,介质层覆盖所述电感线圈;对介质层表面进行平坦化处理;在位于电感线圈内部区域的介质层中形成第一凹槽;在第一凹槽内形成磁性层。本发明电感结构包括上表面齐平的介质层;位于介质层中的电感线圈;位于所述电感线圈内部区域的介质层中的磁性层,磁性层能够增加电感线圈的感值,由于对介质层表面进行平坦化处理,能够使介质层上表面保持齐平,不会因为电感线圈的影响而产生台阶,去除介质层上的磁性材料层后,不会在台阶产生环状残留,从而能够减小涡流,提高电感线圈的Q值,进而提高电感线圈的性能。

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