一种垂直腔面发射激光器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110988123.0
IPC分类号：H01S5/183;H01S5/30
申请日期：
2021-08-26
申请人：
深圳市中科芯辰科技有限公司

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专利名称	一种垂直腔面发射激光器及其制备方法
申请号	CN202110988123.0	申请日期	2021-08-26
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-23	公开/公告号	CN113690732A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/183 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/18 面发射〔SE〕激光器〔7〕 H01S5/183 具有垂直腔的〔VCSE-激光器〕〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;8;3;;;H;0;1;S;5;/;3;0查看分类表>
申请人	深圳市中科芯辰科技有限公司	申请人地址	广东省深圳市南山区桃源街道长源社区学苑大道1001号南山智园C2栋1715 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市中科芯辰科技有限公司	当前权利人	深圳市中科芯辰科技有限公司
发明人	杨翠柏
代理机构	北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	方晓燕

摘要

本发明提供了一种电流自供给硅基垂直腔面发射激光器，其结构包括Si衬底，激光器单元、隔离区和太阳电池单元。Si衬底为p型Si单晶片；激光器单元在Si衬底的上表面按照层状叠加结构从下至上依次设置有缓冲层、反射层、多量子阱激光发射单元、反射层和电极接触层，在电极接触层正上方制备有上电极，在Si衬底下表面制备有下电极；隔离区为高电阻区域；太阳电池单元从下至上包括Si衬底、n型发射区和窗口层，在n型发射区上方制备有上电极，在Si衬底下表面制备有下电极。本发明在降低材料制作成本的同时还可以实现VCSEL系统的电流自供给，大大降低了VCSEL系统的工作能耗。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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