有机薄膜制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200880107221.1
IPC分类号：H01L51/56;H05B33/10;C23C14/12;H01L51/50
申请日期：
2008-09-08
申请人：
株式会社爱发科

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法律信息

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著录项信息

专利名称	有机薄膜制造方法
申请号	CN200880107221.1	申请日期	2008-09-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-08-11	公开/公告号	CN101803461A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/56 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/56 专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;6;;;H;0;5;B;3;3;/;1;0;;;C;2;3;C;1;4;/;1;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;0查看分类表>
申请人	株式会社爱发科	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社爱发科	当前权利人	株式会社爱发科
发明人	根岸敏夫
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	严志军;杨楷

摘要

即使不加快成膜速度，也形成均匀膜厚的薄膜。预先使配置于蒸发室(20a)内的蒸发装置(24)升温，从供给装置(40)使有机材料(48)落下至蒸发装置(24)的蒸发面(28)上，在使有机材料(48)蒸发时，将被加热的运载气体导入至蒸发室(20a)，在蒸发室(20a)内进行混合，并导入至放出装置(70)内。在仅将有机材料蒸气导入至放出装置(70)内的情况下，在放出装置(70)内形成分子流，但运载气体使放出装置(70)内的压力上升，因而形成粘性流，混合气体充满于放出装置(70)内，均匀地放出。每次少量地供给有机材料，使成膜速度不过快即可。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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