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激光加工方法、半导体构件制造方法及激光加工装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201980084472.0
  • IPC分类号:B28D5/00;B23K26/53;H01L21/304;H01L21/301
  • 申请日期:
    2019-12-18
  • 申请人:
    国立大学法人东海国立大学机构;浜松光子学株式会社
著录项信息
专利名称激光加工方法、半导体构件制造方法及激光加工装置
申请号CN201980084472.0申请日期2019-12-18
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-13公开/公告号CN113260492A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B28D5/00IPC分类号B;2;8;D;5;/;0;0;;;B;2;3;K;2;6;/;5;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;1查看分类表>
申请人国立大学法人东海国立大学机构;浜松光子学株式会社申请人地址
日本爱知县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人国立大学法人东海国立大学机构,浜松光子学株式会社当前权利人国立大学法人东海国立大学机构,浜松光子学株式会社
发明人田中敦之;笹冈千秋;天野浩;河口大祐;和仁阳太郎;伊崎泰则;油井俊树
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司代理人杨琦
摘要
激光加工方法是用于在半导体对象物的内部沿着与半导体对象物的表面相对的假想面,切断半导体对象物的激光加工方法,具备:通过使激光从表面入射至半导体对象物的内部,从而沿着假想面,以成为第1形成密度的方式形成多个第1改质点的第1工序;在第1工序之后,通过使激光从表面入射至半导体对象物的内部,从而沿着假想面,以成为比第1形成密度高的第2形成密度的方式形成多个第2改质点的第2工序。

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