使用从惰性气体形成的亚稳态体的原子层蚀刻

发明专利有效专利

申请号：
CN201280035911.7
IPC分类号：H01L21/00
申请日期：
2012-07-11
申请人：
朗姆研究公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	使用从惰性气体形成的亚稳态体的原子层蚀刻
申请号	CN201280035911.7	申请日期	2012-07-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-04-23	公开/公告号	CN103748658A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H01L21/00查看分类表>
申请人	朗姆研究公司	申请人地址	美国加利福*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	朗姆研究公司	当前权利人	朗姆研究公司
发明人	哈梅特·辛格
代理机构	上海胜康律师事务所	代理人	李献忠

摘要

本发明公开了用于蚀刻原子层的衬底处理系统和方法。所述方法和系统被配置为将第一气体引入所述室，该气体是适合于蚀刻所述层的蚀刻剂气体，且允许所述第一气体存在于所述室中持续足以造成所述第一气体中的至少一些吸附到所述层的一段时间。用惰性气体实质上置换在所述室内的所述第一气体，然后从惰性气体产生亚稳态体以用所述亚稳态体蚀刻层，同时实质上防止所述等离子体带电物质蚀刻所述层。

一种婚恋对象精准匹配方法及系统

发明授权

使用从惰性气体形成的亚稳态体的原子层蚀刻

在售专利 早买早用

在售专利早买早用