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非晶硅薄膜太阳能电池激光刻划系统及刻划方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200710077448.3
  • IPC分类号:H01L31/18;B23K26/36;B23K26/08;B23K26/42;B23K101/40
  • 申请日期:
    2007-11-30
  • 申请人:
    深圳市大族激光科技股份有限公司
著录项信息
专利名称非晶硅薄膜太阳能电池激光刻划系统及刻划方法
申请号CN200710077448.3申请日期2007-11-30
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2009-06-10公开/公告号CN101452972
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;B;2;3;K;2;6;/;3;6;;;B;2;3;K;2;6;/;0;8;;;B;2;3;K;2;6;/;4;2;;;B;2;3;K;1;0;1;/;4;0查看分类表>
申请人深圳市大族激光科技股份有限公司申请人地址
广东省深圳市南山区高新技术园北区新西路9号大族激光大厦 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人大族激光科技产业集团股份有限公司当前权利人大族激光科技产业集团股份有限公司
发明人高云峰;陈明金;王文;李世印;吴志宏;倪鹏玉;程文胜;郑国云;黄东海
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了非晶硅薄膜太阳能电池激光刻划系统及刻划方法,涉及激光加工领域。刻划系统包括第一台刻划设备、第二台刻划设备和用于控制所述第一、第二台刻划设备的控制柜。刻划方法包括:以预定间距在导电玻璃的导电层上刻划第一基准线和第二基准线,刻划完毕后在导电层上镀非晶硅层;分别检测第一基准线和第二基准线的轨迹,在非晶硅层上刻划分别平行于第一基准线和第二基准线的第一刻划线和第二刻划线,刻划完毕后在非晶硅层上镀铝层;分别检测第一基准线和第二基准线的轨迹,在非晶硅层及铝层上刻划分别平行于第一基准线和第二基准线的第三刻划线和第四刻划线。本发明的刻划系统及刻划方法能够满足工艺要求且刻划精度高。

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