发光元件及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110823884.0
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/58;H01L33/64
申请日期：
2021-07-21
申请人：
江西新正耀光学研究院有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	发光元件及其制作方法
申请号	CN202110823884.0	申请日期	2021-07-21
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-28	公开/公告号	CN113451482A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;5;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4查看分类表>
申请人	江西新正耀光学研究院有限公司	申请人地址	江西省赣州市龙南县经济技术开发区石人片区C-6 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江西新正耀光学研究院有限公司	当前权利人	江西新正耀光学研究院有限公司
发明人	赖穆人;刘召忠;蓝文新;李南平;林辉;杨小利
代理机构	北京晟睿智杰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	于淼

摘要

本申请公开了一种发光元件及其制作方法，涉及发光元件生产技术领域，包括：支架单元，支架单元包括支架本体、功能区和高台；高台上设有凹槽，凹槽在沿垂直于支架本体所在平面上的高度为H1；凹槽包括第一边和第二边，第一边和第二边之间的垂直距离为L1；LED芯片位于功能区；透光盖板组件，包括透光板单元和接合金属镀层，接合金属镀层与凹槽所在位置对应，接合金属镀层的高度为H2；接合金属镀层包括第三边和第四边，第三边和第四边之间的垂直距离为L2；L2>L1，H2>H1。本申请能够增大支架单元与透光盖板组件之间的结合力度，避免因为加压加热造成透光盖板组件和支架单元之间的键结力不佳，有利于提高成品良率及元件的可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供