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电路装置的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN03160337.8
  • IPC分类号:H01L21/48;H01L21/60
  • 申请日期:
    2003-09-26
  • 申请人:
    三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司
著录项信息
专利名称电路装置的制造方法
申请号CN03160337.8申请日期2003-09-26
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2004-05-19公开/公告号CN1497688
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/48IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司申请人地址
日本大阪府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三洋电机株式会社,关东三洋半导体股份有限公司当前权利人三洋电机株式会社,关东三洋半导体股份有限公司
发明人五十岚优助;坂本则明
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人李贵亮;杨梧
摘要
一种电路装置的制造方法,目前开发了:以具有导电图案的挠性板为支承衬底、在其上安装半导体元件并进行整体模装的半导体装置。这种情况下,会产生不能形成多层配线结构的问题及制造工序中绝缘树脂板的挠曲明显的问题。本发明的电路装置的制造方法中,采用介由第三导电膜13层积薄的第一导电膜11和厚的第二导电膜12构成的层积板10。在通过蚀刻第一导电膜11形成第一导电配线层11A的工序中,通过由第三导电膜13使蚀刻停止,可控制蚀刻的深度。因此通过较薄地形成第一导电膜11,可使第一导电配线层11A形成微细图案。另外,由于介由第一绝缘层15形成第二导电配线层14A,故可实现多层配线。

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