电路装置的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03160337.8
IPC分类号：H01L21/48;H01L21/60
申请日期：
2003-09-26
申请人：
三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司

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著录项信息

专利名称	电路装置的制造方法
申请号	CN03160337.8	申请日期	2003-09-26
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-05-19	公开/公告号	CN1497688
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/48 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三洋电机株式会社,关东三洋半导体股份有限公司	当前权利人	三洋电机株式会社,关东三洋半导体股份有限公司
发明人	五十岚优助;坂本则明
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	李贵亮;杨梧

摘要

一种电路装置的制造方法，目前开发了：以具有导电图案的挠性板为支承衬底、在其上安装半导体元件并进行整体模装的半导体装置。这种情况下，会产生不能形成多层配线结构的问题及制造工序中绝缘树脂板的挠曲明显的问题。本发明的电路装置的制造方法中，采用介由第三导电膜13层积薄的第一导电膜11和厚的第二导电膜12构成的层积板10。在通过蚀刻第一导电膜11形成第一导电配线层11A的工序中，通过由第三导电膜13使蚀刻停止，可控制蚀刻的深度。因此通过较薄地形成第一导电膜11，可使第一导电配线层11A形成微细图案。另外，由于介由第一绝缘层15形成第二导电配线层14A，故可实现多层配线。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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