一种半导体发光元件和封装体

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202020446007.7
IPC分类号：H01L33/20;H01L33/44;H01L33/54;H01L33/00
申请日期：
2020-03-31
申请人：
厦门三安光电有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种半导体发光元件和封装体
申请号	CN202020446007.7	申请日期	2020-03-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/20 具有特定的形状，例如弯曲或截断的衬底〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;2;0;;;H;0;1;L;3;3;/;4;4;;;H;0;1;L;3;3;/;5;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	厦门三安光电有限公司	申请人地址	福建省厦门市同安区洪塘镇镇民安大道841-899号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	厦门三安光电有限公司	当前权利人	厦门三安光电有限公司
发明人	臧雅姝;周帅坤;郭明兴;蔡吉明;郑志颖;温兆军
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种半导体发光元件，其包括：透明衬底、半导体发光堆叠层、绝缘层，透明衬底具有第一表面，第一表面具有第一区域被半导体发光堆叠层覆盖，第一表面具有第二区域位于半导体发光序列堆叠层外侧壁底部周围；其特征在于：还包括一环形的阻挡结构，其形成于第一表面的第二区域上，并且所述的阻挡结构具有内侧壁和外侧壁，所述内侧壁与半导体发光序列堆叠层外侧壁之间形成沟槽，沟槽露出透明衬底的第一表面的部分第二区域；所述的绝缘层覆盖半导体发光堆叠层的顶面和侧壁，并覆盖环形沟槽底部以及阻挡结构的内侧壁和顶面。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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