一种镀膜装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201310589150.6
IPC分类号：C23C14/35
申请日期：
2013-11-20
申请人：
京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种镀膜装置
申请号	CN201310589150.6	申请日期	2013-11-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-02-12	公开/公告号	CN103572240A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5查看分类表>
申请人	京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京东方科技集团股份有限公司,成都京东方光电科技有限公司	当前权利人	京东方科技集团股份有限公司,成都京东方光电科技有限公司
发明人	孙泉钦;谢濒锋;王一鸣
代理机构	北京银龙知识产权代理有限公司	代理人	许静;黄灿

摘要

本发明提供一种镀膜装置，包括：用于承载基板的基板承载板；用于承载靶材，以使得所述靶材与所述基板相对设置的靶材承载板；以及，用于设置于所述靶材承载板的远离所述基板承载板的一侧的单根磁条；所述磁条至少能够在一预定运动范围内进行运动，所述预定运动范围至少包括：与所述靶材所在区域相对应的靶材区域；及，与所述靶材以外的区域相对应的非靶材区域；所述镀膜装置还包括一用于控制所述磁条在所述靶材区域内进行匀速运动的控制机构。本发明的镀膜装置中磁条的预定运动范围要远大于靶材，当磁条运动到靶材区域时可以进行匀速运动，在最大程度上保证了成膜的均匀性，同时由于靶材各个位置的磁场强度相似，因此可以极大的提高靶材利用率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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