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一种半导体器件的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510669884.4
  • IPC分类号:H01L21/3105;H01L21/28
  • 申请日期:
    2015-10-13
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称一种半导体器件的制造方法
申请号CN201510669884.4申请日期2015-10-13
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-04-19公开/公告号CN106571294A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/3105
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;1;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人邓武锋
代理机构北京市磐华律师事务所代理人董巍;高伟
摘要
本发明提供一种半导体器件的制造方法,涉及半导体技术领域。所述方法包括:提供半导体衬底,在半导体衬底上形成有若干伪栅极;依次沉积研磨停止层和层间介电层,以覆盖半导体衬底以及若干伪栅极,其中层间介电层的顶面高于所述伪栅极的顶面;对层间介电层进行第一化学机械研磨停止于研磨停止层内;对层间介电层进行第二化学机械研磨停止于伪栅极的顶面上;对层间介电层进行第三化学机械研磨,其中,在所述第三化学机械研磨过程中加入包括氧化剂的液体,以氧化所述伪栅极的顶面形成保护层。本发明的制造方法,在第三化学研磨过程中,使用双氧水对伪栅极的顶面进行氧化形成保护层,进而保护伪栅极的材料在之后的清洗步骤中不会损失。

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