半导体装置及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201310739910.7
IPC分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L23/40
申请日期：
2013-12-27
申请人：
株式会社东芝

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体装置及其制造方法
申请号	CN201310739910.7	申请日期	2013-12-27
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-03-25	公开/公告号	CN104465757A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/78 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;3;/;4;0查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝	当前权利人	株式会社东芝
发明人	宫川毅
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	孙蕾

摘要

本发明提供一种散热性高的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体芯片；树脂体，覆盖半导体芯片，具有第1底面、与第1底面相对的第2底面、与第1以及第2底面交叉并相互相对的第1以及第2侧面、和与第1以及第2底面和第1以及第2侧面相交并相互相对的第3以及第4侧面；第1导电部件，设置于半导体芯片的第1底面侧，具有连接半导体芯片而在第1底面侧从树脂体露出的底座部、和端部从第1或者第2侧面突出的第1电极端子；第2导电部件，具有端部从第1或者第2侧面突出的第2电极端子；以及散热部件，设置于半导体芯片的第2底面侧，在第2底面侧从树脂体露出，端部从第3以及第4侧面在与第3以及第4侧面相同的面内露出。

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