专用集成电路升频方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711282009.6
IPC分类号：G06F9/4401;G06F1/20
申请日期：
2017-12-07
申请人：
深圳比特微电子科技有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	专用集成电路升频方法
申请号	CN201711282009.6	申请日期	2017-12-07
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-07-17	公开/公告号	CN108287732A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F9/4401 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F9/4401 引导程序（安全装置入G06F 21/57）〔2018.01〕	IPC分类号	G;0;6;F;9;/;4;4;0;1;;;G;0;6;F;1;/;2;0查看分类表>
申请人	深圳比特微电子科技有限公司	申请人地址	广东省深圳市高新技术产业园高新南六道航盛科技大厦801室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳比特微电子科技有限公司	当前权利人	深圳比特微电子科技有限公司
发明人	蔡清华;杨作兴;刘子熹;韦建利;黄理洪;罗应华
代理机构	北京德琦知识产权代理有限公司	代理人	衣淑凤;宋志强

摘要

本发明提出专用集成电路升频方法。方法包括：控制板启动后，向单板上的所有ASIC发送携带初始频率的频率设置命令；控制板在每个升频周期到来时，确定将单板上各ASIC的频率更新为当前频率加上预设频率递增步长，向单板上的所有ASIC发送携带更新后的频率的频率设置命令，以使得：单板上的各ASIC更新自身的频率，直到单板上的各ASIC的频率达到目标频率。本发明使得ASIC启动后，ASIC的频率能够逐步增加到目标频率，ASIC的温度能够逐步缓慢上升，避免ASIC直接设置目标频率而快速发热膨胀最终导致损坏。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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