一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710120169.0
IPC分类号：G02F1/1362;G03F7/00;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768
申请日期：
2007-08-10
申请人：
北京京东方光电科技有限公司

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专利名称	一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构的制造方法
申请号	CN200710120169.0	申请日期	2007-08-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-02-11	公开/公告号	CN101364016
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02F1/1362 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02F 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器〔2，4〕 G02F1/00 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学〔2，4〕 G02F1/01 对强度、相位、偏振或颜色的控制（G02F 1/29、G02F 1/35优先）〔2，7〕 G02F1/13 基于液晶的，例如单位液晶显示单元〔2〕 G02F1/133 构造上的设备；液晶单元的工作；电路装置（用于控制矩阵中液晶元件并且在结构上不与这些元件相连的装置或电路入G09G 3/36）〔3，7〕 G02F1/136 结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元，例如形成集成电路部分的液晶单元（G02F 1/135优先）〔5〕 G02F1/1362 有源矩阵寻址单元〔7〕	IPC分类号	G;0;2;F;1;/;1;3;6;2;;;G;0;3;F;7;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	北京京东方光电科技有限公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司	当前权利人	京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司
发明人	邱海军;王章涛;闵泰烨
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	刘芳

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构，包括：玻璃基板、栅线、栅电极、第一栅绝缘层、有源层、掺杂层、第二绝缘层、数据线、源电极、漏电极、像素电极及钝化层，其中栅电极和栅线上依次为第一栅绝缘层、有源层和掺杂层；栅线上有一截断槽，其截断栅线上的掺杂层和有源层；第二绝缘层覆盖在截断槽及栅线和栅电极外的玻璃基板上；像素电极与漏电极呈一体结构，像素电极形成于第二绝缘层上方，漏电极形成于掺杂层上方；源电极和数据线呈一体结构，形成于掺杂层和第二绝缘层上方；钝化层覆盖在像素电极及漏电极之外的部分。本发明同时公开该像素结构的制造方法。本发明通过该结构和制造方法，能增大工艺容差，避免接触电阻的问题。

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