一种基于CMOS工艺的红外探测器

发明专利有效专利

申请号：
CN202110324010.0
IPC分类号：G01J1/44
申请日期：
2021-03-26
申请人：
北京北方高业科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种基于CMOS工艺的红外探测器
申请号	CN202110324010.0	申请日期	2021-03-26
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-30	公开/公告号	CN113720449A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01J1/44 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01J 红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法〔2〕 G01J1/00 光度测定法，例如照相的曝光表（分光光度测定法入G01J 3/00；专用于辐射高温测定法的入G01J 5/00） G01J1/42 采用电辐射检测器（光学或机械部件入G01J 1/04；与基准光或基准电参数作比较的入G01J 1/10） G01J1/44 电路	IPC分类号	G;0;1;J;1;/;4;4查看分类表>
申请人	北京北方高业科技有限公司	申请人地址	北京市丰台区育仁南路1号院4号楼13层1301 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方高业科技有限公司	当前权利人	北京北方高业科技有限公司
发明人	翟光杰;武佩;潘辉;翟光强
代理机构	北京开阳星知识产权代理有限公司	代理人	安伟

摘要

本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器，红外探测器中CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统上方直接制备CMOS红外传感结构；CMOS红外传感结构的CMOS制作工艺包括金属互连工艺、通孔工艺以及RDL工艺，CMOS红外传感结构包括至少两层金属互连层、至少两层介质层和多个互连通孔，介质层至少包括一层牺牲层和一层热敏感介质层，热敏感介质层包括电阻温度系数大于设定值的热敏材料；CMOS红外传感结构包括由反射层和热敏感介质层构成的谐振腔、控制热传递的悬空微桥结构以及具有电连接和支撑功能的柱状结构。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题，优化了红外探测器的性能。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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